外延工艺是一种薄层生长技术。能批量生产参杂均匀，厚度一致，晶格结构完整的外延片。利用同质外延技术制备N/N+ 或P/P+ 结构外延片可解决晶体管制作中频率特性和击穿功率特性间的矛盾。利用N/P型结构的外延片可以实现双极型集成电路的元器件之间的隔离，可靠性，成品率大大提高，成本大大降低。

　　当今世界是信息科技时代，由微电子技术支撑的、以计算机和通信行业为主的电子信息产业是未来知识经济的支柱产业，而半导体硅材料又是这一支柱产业的最重要、应用最广泛的基础功能材料，90%以上的大规模集成电路(LSI)及超大规模集成电路(VLSI)都是制作在高纯**的硅抛光片及外延片上的。我司主要采用硅气相外延，利用硅的气态化合物，主要为SiHCL3, SiH2CL2,这两种硅化合物在加热的硅衬底表面与氢反应或自身发生分解，还原成硅，并以单晶的形式沉淀在硅衬底表面，可生产2-6寸CMOS、分立器件、功率器件、IGBT多层外延和埋层外延。

　　· 我司外延生产设备主要有：

　　· MT7700K 筒式红外加热外延炉

　　· MT7811K 筒式红外加热外延炉

　　· RF平板式外延炉(日立)，DC6000、DC6000S和DC8600S单片外延炉等共计18台月产能达到10万片。

　　· 先进检测设备：

　　· 膜厚测试仪：NICOLET 6700

　　· CV测试仪:CSM4A01和MDC CV测试仪

　　· 扩展电阻：SSM SRP 2000

　　· 4PP测试仪：VR-30 VR-70

　　· 金相显微镜：OLYMPUS MX50

　　· 聚光灯：UIH-3D